二极管串联不均压误区分析

二极管串联不均压导致的电路问题，电路出现问题时，需要做出分析报告，找出原因才能找到解决的办法。

      1.宏观下二极管串联不均压分析

      主要考虑的是二极管自身因素的影响。二个二极管串联，外接反向直流电压。反向饱和电流较小的二极管承受电压较大，因为两个二极管串联，在外部施加电压额定的J隋况下，反向饱和电流是不变的。假设两个二极管仅反向饱和电流存在差异，D2的反向饱和电流较小。可以明显得出上述结论。

       在实际运行中，宏观上二极管由于自身差异导致压降不同。当外界电压U加大到D2上的压降到达临界点时，由于D1反向饱和电流大导致其压降相对较小，当D2达到临界压降时，D1仍然处于安全稳定区域。U再次加大，按照上述分析，D2上压降将突破临界转折电压，二极管击穿造成电流急剧增加，但是D1和D2是串联于主电路中，D1电流必然随着D2增加，但是从Dl的伏安曲线得知，D1通过大电流时其反向压降应该达到转折电压，故u1和u2之和大于U，推测不成立。因此，U加大时，D2的电压不会继续增加，而D1的电压会继续增加，直至u增加到超过二个管子的反向耐压之和，此时会出现二极管击穿。多个管子的分析也是如此。

       2.微观下二极管串联不均压分析

       二极管的引脚、二极管在电路板上的布局等等在高压高频环境下自然而然演变成杂散电容和电感。杂散电容和电感的引入直接影响二极管的开通和关断波形。电容的引入阻止电压的突变而电感的引入则阻止电流的突变。在高频下二极管串联等效电路图，C1为二极管结电容，R为二极管反向电阻，C2为二极管对高压形成的杂散电容，C3为二极管对地形成的杂散电容，同时从微观角度分析了二极管串联不均压的原因及后果。二极管自身因素可以通过选用同—批次生产的二极管来近似解决，重点考虑外部因素。