日期：2024-11-11 分类：产品知识 浏览：445 来源：广东佑风微电子有限公司
怎么选场效应管（04）
反应电门功能的参数有很多，但最主要的是电极/漏极、电极/源极及漏极/源极库容。该署库容会正在机件中发生电门消耗，由于正在历次电门时都要对于它们充气。MOS管的电门进度因而被升高，机件频率也降落。
为打算电门过程中机件的总消耗，要打算开经过程中的消耗（Eon）和开放进程中的消耗（Eoff）。MOSFET电门的总功率可用如次方程抒发：Psw=（Eon+Eoff）×电门频次。而电极点电荷（Qgd）对于电门功能的反应最大。
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