mos管原理及几种常见失效分析

mos管原理及几种常见失效分析

mos管（以N沟道增强型mos场效应管）它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

mos管常见失效分析：

1、雪崩失效（电压失效）

也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过mosFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致mosFET失效。

2、SOA失效（电流失效）

既超出mosFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

3、体二极管失效

在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。

4、谐振失效

在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。

5、静电失效

在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。

6、栅极电压失效

由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。