整流桥堆全桥的性能好坏检测方法

整流桥堆全桥的性能好坏检测方法

大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“～”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“一”为输出电压的负极，两个“～”为交流电压输入端），很容易确定出各电极。 检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。

1．高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。

2.肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5～3.5Q，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O，则说明该二极管已开路或击穿损坏。

三端肖特基二极管应先测出其公共端，判别出是共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、厦向电阻值。