什么是MOSFET？

       MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写，FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

       FET是具有源极（S），栅极（G），漏极（D）和主体（B）端子的四端子设备。FET通过向栅极施加电压来控制电流，从而改变漏极和源极之间的电导率。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。也就是说，FET在其操作中使用电子或空穴作为电荷载流子，但不能同时使用两者。

       场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

       MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

       MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，并于1960年6月首次推出。它是现代电子学的基本组成部分，也是历史上最常用的器件，自1960年代以来，MOSFET的缩小和小型化一直在推动电子半导体技术的快速发展，并实现了诸如存储芯片和微处理器之类的高密度IC。MOSFET被认为是电子行业的“主力军”。