MOS管如何测试功率损耗?

日期:2024-09-19 分类:产品知识 浏览:268 来源:广东佑风微电子有限公司


       为了解决MOS管发热问题,要准确判断是否是以上几种原因造成,更重要的是对开关管功率损耗进行正确的测试,才能发现问题所在,从而找对改善的关键点。那么我们可以通过示波器来观看开关管波形,来判断驱动频率是否过高,以及测试G极驱动电压的大小、通过漏源极的Id电流大小等,并直接测试出开关管的功率损耗。


       MOS管工作状态有四种,开通过程、导通状态、关断过程,截止状态。


        MOS管主要损耗:开关损耗,导通损耗,截止损耗,还有能量损耗,开关损耗往往大于后者,小部分能量体现在“导通状态”,而“关闭状态”的损耗很小几乎为0,可以忽略不计。




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