MOS管参数含义说明

MOS管参数含义说明

1、极限参数：

ID：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额

IDM：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额

PD：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升有所减额

VGS：最大栅源电压

Tj：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量

TSTG：存储温度范围

2、静态参数

V（BR）DSS：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V（BR）DSS 。 它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。△ V（BR）DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃

RDS（on）：在特定的 VGS （一般为 10V）、结温及漏极电流的条件下， MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算

VGS（th）：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS（th） 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低

IDSS：饱和漏源电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流。一般在微安级

IGSS：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS 一般在纳安级

3、动态参数

gfs ：跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 gfs 与 VGS 的转移关系注意看图表

Qg ：栅极总充电电量。 MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论述

Qgs ：栅源充电电量

Qgd ：栅漏充电（考虑到 Miller 效应）电量

Td（on） ：导通延迟时间。从有输入电压上升到 10% 开始到 VDS 下降到其幅值 90% 的时间

Tr ：上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间

Td（off） ：关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间

Tf ：下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间

Ciss ：输入电容， Ciss= CGD + CGS （ CDS 短路）

Coss ：输出电容，Coss = CDS +CGD

Crss ：反向传输电容，Crss = CGD

   MOS管的极间电容，MOSFET 之感生电容被大多数制造厂商分成输入电容，输出电容以及反馈电容。所引述的值是在漏源电压为某固定值的情况下。此些电容随漏源电压的变化而变化，电容数值的作用是有限的。输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明，而栅极充电信息更为有用。它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。

4、雪崩击穿特性参数

   这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态

EAS：单次脉冲雪崩击穿能量。这是个极限参数，说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量

IAR：雪崩电流

EAR：重复雪崩击穿能量

5、体内二极管参数

IS：连续最大续流电流（从源极）

ISM：脉冲最大续流电流（从源极）

VSD：正向导通压降

Trr：反向恢复时间

Qrr：反向恢复充电电量

Ton：正向导通时间。