可控硅烧坏的原因及防范方法

日期:2024-09-20 分类:产品知识 浏览:338 来源:广东佑风微电子有限公司


可控硅烧坏的原因

1.逆向电压过大

       可控硅是一种双向开关,其能够承受的逆向电压与正向电压不同。一般来说,可控硅能够承受的逆向电压为其正向电压的几倍至十几倍。如果逆向电压超过了可控硅所能承受的范围,就会导致可控硅烧坏。

2.过电流作用

       过电流的作用是可控硅烧坏的另一个常见原因。在使用可控硅的过程中,一旦电流超过了其所能承受的范围,就会导致可控硅发热失控、封装熔化等问题,最终烧坏可控硅。

3.温度过高

       可控硅的温度太高也是其烧坏的原因之一。一般情况下,可控硅的最大工作温度为80℃至120℃左右,如果超出这个范围就会导致可控硅失控甚至烧坏。

4.频繁开关

       频繁开关也是可控硅烧坏的原因之一。频繁开关会使得电流、电压不稳定,从而导致可控硅负载过重、器件老化等问题,最终烧坏可控硅。

5.电压互感器和电流互感器不匹配

       电压互感器和电流互感器的不匹配也是可控硅烧坏的一个因素。电压互感器的比值不足时就会使可控硅閉合角度太小,电流互感器的比值不足时就会使可控硅动作失效,这些问题都容易导致可控硅烧坏。


可控硅烧坏的防范方法

1.合理的电路设计

合理的电路设计可以避免可控硅受到过多的电流和电压冲击,最大限度地保护可控硅。

2.选用适合的互感器

选择合适的电压互感器和电流互感器,使其比值合适,能够很好地配合可控硅的工作,避免烧坏可控硅。

3.工作温度合理
把可控硅放在合适的范围内,不要超过可接受的最高温度,保证它的稳定性和工作寿命。

4.避免频繁开关

尽可能地避免频繁开关,减少电流、电压变化的幅度,延长可控硅的使用寿命。




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