碳化硅肖特基二极管的特点

       碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm·k。它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。它的特点是：

     （1）碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小；

     （2）碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V；

     （3）碳化硅有较高的热导率；

     （4）碳化硅器件可在较高温度下工作，而硅器件的最大工作温度仅为150oC；

     （5）碳化硅具有很高的抗辐照能力；

     （6）碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好；

     （7）碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小；

     （8）碳化硅器件可减少功率器件体积和降低电路损耗。