MOS管参数

MOS管参数

　　1、VGS(th)(开启电压)

　　当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。

　　应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

　　MOS管的导通条件

　　MOS管的开关条件：

　　N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通;

　　P沟道：导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。

　　MOS管导通条件：|Vgs| > |Vgs(th)|

　　2、VGS(最大栅源电压)

　　栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

　　3、RDS(on)(漏源电阻)

　　导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。

　　MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

　　现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

　　4、ID(导通电流)

　　最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 ID 。

　　一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗，判断是否会超过 ID。

　　5、VDSS(漏源击穿电压)

　　漏源击穿电压是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。

　　击穿后会使得 ID 剧增。

　　这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。

　　6、gfs(跨导)

　　是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，

　　是表征MOS管放大能力的一个重要参数,是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。

　　过小会导致 MOS 管关断速度降低，过大会导致关断速度过快， EMI特性差。