mos管外围电路中的电阻作用 在电路中mos管的DG和GS之间存在结电容，当电路工作时，DS之间的电压会对这些结电容进行充电。随着G极积累的静电电压不断升高，一旦达到一定程度，mos管就会导通，若电压过高，甚至会导致mos管损坏。此时R7为结电容提供泄放通道，同时可以加快mos开关速度，其阻值一般为几千欧姆左右。在mos管关断时，R6和D3构成的回路能够快速放掉栅极结电容的电荷，使得栅极电位快速下降，从而加快mos管的开关速度，并且在高频环境下，mos的输入阻抗会降低，在特定频率范围内还会变成负阻并引发振荡，这时R6可以减少振荡。R6阻值一般较小，通常在几欧到几十欧之间。另外由于mos管存在分布电感，在其关断时会产生反峰电压。RC部分用于吸收尖波，给反峰电压提供了释放回路，并且D5能够在出现反峰电压时保护mos管，防止其被过高的电压击穿。经实验，若去掉由C11,R8和D5组成的回路，电路的波形会出现大幅震荡。
