为什么三极管控制mos管整体功耗偏大 在这个电路中，当E N输出高电平时，三极管导通，将P mos管的栅极拉低到地，使P mos的VGS达到开启条件，P mos导通，V B U S向V C C供电。当E N输出低电平，三极管截止，P mos关断，V C C断电。从表面上看电路也能正常工作，但却存在功耗过大的问题。那功耗为什么会这么大？因为三极管的基极电阻R3选的10欧 实在是太小了，我们可以进行简单的计算。假设E N输出高电频为3.3V，按V B E等于0.7V算，基极电流IB约等于0.26安。但是单片机的IO输出能力一般在20毫安以内，从理论上难以承受0.26安的基极电流需求，然而单片机并未损坏。进一步计算R3上消耗的功率，而0603电阻封装功率一般按0.1瓦算，其实这个R3电阻已经超额了。由此可见，三极管的基极电流IB是导致电路功耗过大的主要来源，并且这种情况甚至可能会对单片机造成损毁。那么这个电路怎么改善呢？第一种是将R3阻值增至十K到一百K的范围，并按R4比R3大十倍的比例增大R4组织，通过分压确保三极管饱和导通，以此降低电路功耗。第二种，把Q2由三极管换成N mos管，利用mos管压控特性平替流控的三极管，解决积极电流问题。
